6英寸氮化镓Template
4英寸氮化镓Template
2英寸氮化镓Template
方形氮化镓自支撑衬底
2英寸氮化镓自支撑衬底 (Si掺杂&偏A晶向)
2英寸氮化镓自支撑衬底 (非掺杂&偏A晶向)
LD
POWER
RF
东莞市中镓半导体科技有限公司成立于2009年1月,总部设于广东东莞,总注册资本为1.3亿元人民币,总部设立厂房办公区等共17000多平方米,并在北京设立面积达1000平方米的大型研发中心,为中国国内首家专业生产氮化镓(GaN)衬底材料的企业。
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