12月4日，“2025行家极光奖 ”颁奖典礼在深圳正式拉开帷幕，数百家SiC&GaN企业代表齐聚一堂，共同见证了第三代半导体产业的风采。

      东莞市中镓半导体科技有限公司自主研发的“8英寸单晶氮化镓衬底”凭借其突出的技术先进性与产业推动力，成功斩获 “年度创新产品奖” 。这标志着我国在第三代半导体关键衬底材料领域的大尺寸化、产业化进程中，取得了又一里程碑式的进展。

      作为国内最早从事氮化镓衬底研发与产业化的企业之一，中镓半导体始终专注于这一“硬科技”赛道，坚持自主创新，已构建从高端装备、晶体生长到晶片加工的完整技术体系。此次8英寸衬底获奖，不仅是行业专家与市场对其技术实力的高度肯定，更彰显了其在打破国际技术壁垒、加速国产化替代方面的决心。
      随着全球GaN产业进入规模化应用快车道，大尺寸衬底已成为国际竞争的战略制高点。中镓半导体此次获奖产品，代表了当前国内在该领域的产业化前沿，其进展将有力提振产业链信心，助推我国在第三代半导体材料环节掌握更多主动权。