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高质量GaN制备技术
半导体材料是现代信息及微电子产业的基础，基于半导体材料的发展历程，目前通常将其划分为三代材料：以Si,Ge为代表的第一代半导体材料，以GaAs为代表的第二代半导体材料及以GaN为代表的第三代半导体材料。其主要物理参数如下表所示。 其中Si是目..
2018-08-21
中镓半导体：市人大常委会到我司调研企石镇高新科技企业发展情况
8月1日上午， 市人大常委会副主任何跃沛率调研组一行来到企石镇东莞市中镓半导体科技有限公司（以下简称中镓半导体），调研企石镇高新科技企业发展情况。 市人大常委会副主任何跃沛率调研组一行，在镇委书记袁丽群、镇人大主席麦阳柱、镇党委委员王少平、镇人..
2018-08-07
聚焦 | 氮化镓(GaN)或将成为超快5G技术的关键
5G的出现，势必会带来对更高移动网络连接速度和更大数据容量的需求。为了应对这一提升性能的需求，就需要新的基站技术。 基站是所有移动网络必须克服的一个瓶颈。也正是这个瓶颈，将目前的4G网络限制在50Mbps的平均峰值数据速度内，并阻碍它实现真正的..
2018-07-31
中镓半导体实力亮相SEMICON West
当地时间7月10日至12日，SEMICON West 2018（2018美国西部半导体展）于旧金山莫斯康尼展览中心举办，东莞市中镓半导体科技有限公司（简称“中镓半导体”）应邀参展。 该展是全球最具影响力的半导体工业设备展览会，是各国半导体企业重..
2018-07-19
4英寸氮化镓自支撑衬底量产技术！中镓半导体国内首创
2018年2月初，东莞市中镓半导体科技有限公司（以下简称中镓半导体）氮化镓（GaN）衬底量产技术实现重大突破！国内首创4英寸GaN自支撑衬底（Free-standing GaN Substrate，图1）的试量产，在氮化镓衬底行业领跑全球。 图..
2018-05-23
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