X

关注微信公众号了解更多信息

点击屏幕其他地方可关闭此窗口

4英寸氮化镓复合衬底

产品概述

4英寸氮化镓复合衬底

GaN/ Al2O3 Substrates (4")

产品型号

Item

ST-ncY-Φ100

ST-ncZ-Φ100

ST-ncH-Φ100

尺寸

Size (mm)

Φ100.0±0.5 (4")

衬底结构

Substrate Structure

GaN on Sapphire(0001)

(Standard: SSP Option: DSP)

厚度

Thickness (μm)

4.5±0.5; 20±2;

Customized

导电类型

Conduction Type

Un-doped N-type

N-type

High-doped N-type

电阻率 (300K)

Resistivity (Ω·cm

≤0.5

≤0.05

≤0.01

GaN厚度不均匀性

GaN Thickness Uniformity

≤±10% (4")

位错密度

Dislocation Density (cm-2)

≤5×108

有效面积 Useable Surface Area

90%

包装

Package

Packaged in a class 100 clean room environment.

72.jpg


Copyright © 2018 东莞市中镓半导体科技有限公司 All Rights Reserved. ICP备案号:粤ICP备12004059号-1

技术支持:东莞网站建设动点