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方形氮化镓自支撑衬底

产品概述

方形氮化镓自支撑衬底

Free-standing GaN SubstratesSquare


产品型号

Item

SFncAL18

SFncBL18

尺寸

Size (mm)

(10.0±0.5)×(15.0±0.5);

Customized

厚度

Thickness (μm)

330±25

430±25

总厚度变化

TTV (μm)

≤10

弯曲度

BOW (μm)

≤10

表面粗糙度

RMS (nm)

Front surfaceRMS≤0.2 (10μm×10μm)

Back surfaceOptically polished

晶向

Orientation

C-axis(0001)±1.0°

导电类型

Conduction Type

Un-doped N-type

N-type

High-doped N-type

电阻率 (300K)

Resistivity (Ω·cm

≤0.5

≤0.05

≤0.01

位错密度

Dislocation Density (cm-2)

15×106

有效面积 Useable Surface Area

90%

包装

Package

Packaged in individual containers in a class 100 clean room environment.


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