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2英寸氮化镓自支撑衬底

产品概述

2英寸氮化镓自支撑衬底

Free-standing GaN Substrates (2")

产品型号

Item

SF-ncA-Φ50

SF-ncB-Φ50

尺寸

Size (mm)

Φ50.0±0.5

厚度

Thickness (μm)

330±25

430±25

总厚度变化

TTV (μm)

≤15

弯曲度

BOW (μm)

≤20

表面粗糙度

RMS (nm)

Ga face:RMS≤0.2 (10μm×10μm);

N face:Optically polished, Customized

晶向

Orientation

C-axis(0001)±1.0°

导电类型

Conduction Type

Un-doped N-type

N-type

High-doped N-type

电阻率 (300K)

Resistivity (Ω·cm)

≤0.5

≤0.05

≤0.01

位错密度

Dislocation Density (cm-2)

Grade A

Grade B

1~9×105

1~5×106

有效面积

Useable Surface Area

>90%

包装

Package

Packaged in individual containers in a class 100 clean room environment.


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