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4英寸氮化镓自支撑衬底

产品概述

4英寸氮化镓自支撑衬底

Free-standing GaN Substrates4"

产品型号

Item

SFncAΦ100

导电类型

Conduction Type

Un-doped N-type

尺寸

Size (mm)

φ100.0±1.0

厚度

Thickness (μm)

400±50;

Customized

总厚度变化

TTV (μm)

≤30

弯曲度

BOW (μm)

≤80

表面粗糙度

RMS (nm)

Ga face:RMS≤0.2 (10μm×10μm);

N face:Optically polished, Customized

晶向

Orientation

C-axis(0001)±1.0°

包装

Package

Packaged in individual containers in a class 100 clean room environment.

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