X

关注微信公众号了解更多信息

点击屏幕其他地方可关闭此窗口

一种通过缺陷应力去除技术自分离氮化镓单晶材料制备自支撑衬底的方法

文章来源:  点击次数:0  更新时间:2015-02-18 11:26:21  【打印此页】  【关闭

Copyright © 2018 东莞市中镓半导体科技有限公司 All Rights Reserved. ICP备案号:粤ICP备12004059号-1

技术支持:东莞网站建设动点