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一种采用MOCVD技术在GaN衬底或GaNAl2O3复合衬底上制备高亮度同质LED的方法

文章来源:zhongjia  点击次数:0  更新时间:2019-04-24 15:20:56  【打印此页】  【关闭

一种采用MOCVD技术在GaN衬底或GaNAl2O3复合衬底上制备高亮度同质LED的方法

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