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热烈祝贺中镓公司成功研制4英寸6次方GaN单晶衬底

文章來源:admin  點擊次數:27  更新時間:2018-03-11 10:59:29  【打印此頁】  【關閉

热烈祝贺中镓公司于2月25日成功研制4英寸6次方GaN单晶衬底,标志着中镓公司在大尺寸、高质量GaN单晶衬底研发和生产方面取得了重大突破!

详细规格参数请参阅:www.sinonitride.com/product/showproduct.php?lang=cn&id=18


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