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4英寸氮化镓自支撑衬底量产技术!中镓半导体国内首创

文章來源:admin  點擊次數:101  更新時間:2018-05-23 14:59:29  【打印此頁】  【關閉

2018年2月初,东莞市中镓半导体科技有限公司(以下简称中镓半导体)氮化镓(GaN)衬底量产技术实现重大突破!国内首创4英寸GaN自支撑衬底(Free-standing GaN Substrate,图1)的试量产,在氮化镓衬底行业领跑全球。

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1: 4英寸GaN自支撑衬底图片

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2: GaN自支撑衬底的AFM图片

4英寸GaN自支撑衬底的量产主要存在两个技术难题:第一、大尺寸GaN单晶体材料生长技术;第二、大尺寸GaN晶片的研磨抛光技术。中镓半导体成功研制具有自主知识产权的HVPE设备,获得了4英寸GaN单晶体材料,同时,攻克GaN衬底研磨抛光技术难题(图2),搭建了自有完整GaN衬底研磨抛生产线,顺利实现4英寸GaN自支撑衬底的试量产,并预计在2018年底实现正式量产(图3)。中镓半导体在4英寸GaN自支撑衬底量产技术上的突破为我国在第三代半导体产业的国际竞争中取得了战略制高点,支撑我国实现从跟跑到领跑的重大转型。

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3: 2018年中镓半导体GaN自支撑衬底产品规划图


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