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中镓半导体应邀参加IWN 2018

文章來源:zhongjia  點擊次數:4  更新時間:2018-11-21 08:27:53  【打印此頁】  【關閉

当地时间11月11日至16日, The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018)于日本金泽(Kanazawa)召开,东莞市中镓半导体科技有限公司(简称“中镓半导体”)应邀参会。

该氮化物国际研讨会由京都大学和东京大学主办,吸引了相应高等院校、全球氮化物行业科研机构及企业等上千名专家、学者、业界精英参会。会议就与氮化物材料相关的一些关键问题进行深入讨论,助力氮化物领域蓬勃发展。会议在2014年诺贝尔物理学奖得主、名古屋大学教授天野浩(Hiroshi Amano)的报告中隆重拉开序幕(图1)。中镓半导体作为会议邀请嘉宾,作了题为“The Fabrication of High Quality Low Cost Free-standing GaN Substrates and GaN Templates”的分会场报告,反应强烈(图2)。

会议期间,与会人士高度关注中镓半导体的氮化镓单晶产品的展示(图3、4),充分肯定了中国近年来氮化镓材料的发展以及中镓半导体所取得的成就。通过此次会议,彰显了中镓半导体在国际氮化物材料领域的领先地位。

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图一

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图二

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图三

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图四


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