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中镓半導体は招きに応じてIWN 2018に参加

記事のソース:zhongjia  クリック数:3  更新時間:2018-11-23 17:42:44  【印刷】  【クローズド

        現地時間の11月11日~16日に、日本金沢にてThe International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018)を開催し、東莞市中镓半導体科技有限会社(以下、「中镓半導体」と略称)は招きに応じて参加した。

        本窒化物国際セミナーは京都市大学と東京大学が主催し、たくさんの大学、グローバル窒化物業界科学研究機関及び企業など千名以上の専門家、学者、業界のエリートを誘って参加した。会議において、窒化物材料に関する重要な問題を深く検討し、窒化物業界の発展を促進した。2014年ノーベル物理学賞受賞者の名古屋大学の天野浩教授のスピーチは、会議の序幕を開けた(図1)。中镓半導体は会議のゲストとして、サブ会場で「The Fabrication of High Quality Low Cost Free-standing GaN Substrates and GaN Templates」というレポートを報告し、熱烈な反響を得た(図2)

    会議中、視聴者たちは、中镓半導体の単結晶GaN製品(図3、4)に対して高い興味をもって、近年、中国のGaN材料の発展及び中镓半導体で取得した成果を褒めた。今回の会議を通して、中镓半導体が国際窒化物材料分野のリーディングポジションを確認した。

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図1

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図2

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図3

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図4


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