X

詳細については、WeChatパブリックアカウントに従ってください。

このウィンドウを閉じるには、画面の他の場所をクリックしてください

4インチ窒化物ガリウム自立基板量産技術!中鎵半導体が国内で初

記事のソース:  クリック数:55  更新時間:2018-05-23 14:59:29  【印刷】  【クローズド

2018年2月初頃、東莞市中鎵半導体科学技術有限会社は(以下は中鎵半導体と略称する)窒化ガリウム(GaN)基板量産技術が重大な突破を実現した!国内で始めての4インチGaN自立基板(Free-standing GaN Substrate、図1)の試行量産は窒化ガリウム基板業界で世界のトップランナーである。

blob.png

図1:4インチGaN自立基板写真

blob.png

図2:GaN自立AFM写真

4インチGaN自立基板の量産は主に二つの技術難関が存在している。一つ目は大寸法GaN単結晶材料成長技術、二つ目は大寸法GaNウェーハの研磨・艶出し技術である。中鎵会社は成功に自主知的財産権を持つHVPE設備を研究製造し、4インチGaN単結晶材料を獲得した。同時、GaN基板の研磨・艶出し技術の難問(図2)を乗り越え、自社が所有するGaN基板研磨・艶出し生産ラインを構築し、4インチGaN自立基板の試行量産を実現した。更に、2018年年末で正式な量産を実現する予定である(図3)。中鎵会社の4インチGaN自立基板量産技術での突破は中国第三代半導体産業の国際競争において一番有利な場所を取り、中国を後従役から先導役へ大きな転換の実現を支えている。

blob.png

図3:2018年中鎵会社GaN自立基板製品規格図


Copyright © 2018 東莞市中鎵半導体科学技術有限会社 All Rights Reserved. ICP備案號:粵ICP備12004059號-1

技術サポート:東莞のウェブサイトの建設点をつける