X

关注微信公众号了解更多信息

点击屏幕其他地方可关闭此窗口

《2012国际氮化物半导体衬底和外延芯片发展战略研讨会》在东莞松山湖圆满召开

文章来源:admin  点击次数:0  更新时间:2012-10-29 16:45:35  【打印此页】  【关闭

由广东省科学技术厅主办,广东省半导体照明产业联合创新中心、东莞市中镓半导体科技有限公司和北京大学东莞光电研究院共同承办的“2012国际氮化物半导体衬底和外延芯片发展战略研讨会”于2012年9月23日在东莞市松山湖圆满召开。中国科学院院士甘子钊教授、国家半导体照明工程研发及产业联盟秘书长吴玲女士、中国半导体照明LED产业与应用联盟秘书长关白玉女士受邀参加了会议并在开幕式上作了重要讲话,参加开幕式的还有广东省科学技术厅副厅长叶景图先生和广东省科学技术厅副巡视员周木堂先生。本次会议邀请到来自英国Sheffield大学、北京大学、中山大学、中科院苏州纳米所,以及德国AIXatech公司、波兰TopGan公司、CREE(中国)科技有限公司、东莞市中镓半导体科技有限公司等15位专家学者进行大会演讲。会议安排了五个演讲专题,包括:“氮化镓体单晶材料”、“蓝宝石衬底新技术”、“Si与SiC上材料生长”、“GaN非极性、半极性衬底与AlN衬底”和“外延芯片的发展趋势”;广东省科学技术厅副巡视员周木堂先生、东莞市中镓半导体科技有限公司总经理张国义教授、广东省半导体照明产业联合创新中心主任眭世荣先生分别主持了这五个专题讲座。来自上海蓝光科技有限公司、三安光电股份有限公司、江苏林洋电子股份有限公司、广东量晶光电科技有限公司等相关产业的企业共19名代表出席了会议。

  演讲结束后,与会代表就氮化物半导体衬底产业的技术发展趋势及其对外延芯片产业的影响展开讨论,深入探讨了氮化物半导体衬底和外延芯片技术的现状和发展方向。与会的国内外专家学者及企业代表结合各自实际情况及对氮化物半导体衬底产业的了解与认知,提出了不少有建设性的意见和建议。会议就氮化物半导体发展的核心技术、未来半导体照明衬底的主流技术、当前半导体照明的瓶颈技术、氮化物半导体应用市场今后五年中最大领域等关键议题达成共识。会议取得圆满成功,达到了预期效果。

blob.png

与会代表亲切合影

blob.png

广东省科学技术厅副厅长叶景图先生发表开幕致辞

blob.png

中镓科技集团张国义总裁发表演讲


Copyright © 2018 东莞市中镓半导体科技有限公司 All Rights Reserved. ICP备案号:粤ICP备12004059号-1

技术支持:东莞网站建设动点