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  • 甘子釗

    1938年4月出生, 1959年10月畢業於北京大學物理系,1959年10月至1963年1月在北京大學物理系讀研究生,師從著名物理學家黃昆院士,畢業後留校任教至今。
    1991年當選為中國科學院數學物理學部院士。現任北京大學物理學院教授、北京現代物理中心副主任,人工微結構和介觀物理國家重點實驗室學術委員會主任,超導國家重點實驗室學術委員會委員。甘子釗學術工作的特點是致力於在凝聚態物理與光學物理的前沿研究,並總是力求把理論研究與實驗研究結合起來。1984年被授予“國家級有突出貢獻中青年專家”稱號。

  • 陳健民

    1983年11月生,2006年留洋回國參加工作,任廣東光大企業集團董事長助理。先後獲得年度全球人居環境傑出貢獻獎、廣東省2010大學生創業先進個人、“廣東青年五四獎章”。
    2008年,陳健民看到氮化鎵襯底材料及相關技術開發廣闊的發展前景,遂與北京大學寬禁帶半導體研究中心進行溝通,洽談合作。
    2008年11月,陳健民傾力促成了廣東光大企業集團與北京大學強強聯手,共同合作成立東莞市中鎵半導體科技有限公司 。

  • 張國義

    1950年12月生,物理學博士,現任北京大學物理學院教授、博士生導師,北京大學寬禁帶半導體聯合研究中心主任,北京大學東莞光電研究院常務副院長。
    張國義教授曾擔任“九五”國家863計劃信息光電子主題專家組專家、“十五”國家半導體照明專家組成員,長期從事半導體物理與器件物理、半導體光電子學、MOCVD生長技術的研究。自1993年至今,獲得國家科技部863計劃先進集體將和先進個人獎;申請國家發明專利20多項,獲得2000年香港國際發明展覽會銀獎、2005年全國發明展覽會銀獎,;作為第壹完成人,曾獲得國家技術發明四等獎,國家教委科技進步二等獎。

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