| 4英寸氮化镓复合衬底 4-inch GaN Templates | ||
| 直径 Dimension | 101±0.5 mm | |
| 氮化镓层厚度 GaN Layer Thickness | 4.5 ± 0.5μm | |
| 蓝宝石层厚度 Sapphire Thickness | 650 ± 10 μm | |
| 晶向Orientation： | C plane (0001) ±0.5° | |
| 导电类型 Conduction Type | N-type （Un-doped） | N-type （Silicon-doped） |
| 电阻率Resistivity (300K) | < 0.2 Ω·cm | < 0.02 Ω·cm |
| 位错密度 Dislocation density | <5×108 cm-2 | |
| (002) 面半峰宽 (002) FWHM | ≤280 | |
| (102) 面半峰宽 (102) FWHM | ≤300 | |
| 可用面积 Useable area | ＞90 % | |
| 包装 Package | Packaged in individual containers in a class 100 clean room environment. | |
