甘子釗，中國科學院院士，廣東省首批引進創新科研團隊——」北京大學寬禁帶半導體研究中心」團隊帶頭人。現任東莞市中鎵半導體科技有限公司名譽董事長。

        2010年5月，以甘子釗院士為帶頭人的寬禁帶半導體研究中心團隊被全職引進至東莞市中鎵半導體科技有限公司，開展」氮化鎵基襯底材料與器件的研究」 項目。在甘子釗院士的指導下，中鎵公司先後建成國內第一條GaN襯底材料生產線和PSS圖形化藍寶石襯底材料生產線，取得重大的經濟效益和社會效益，完善了廣東省的LED產業鏈，推動了我國第三代半導體產業的發展。

        陳健民，光大集團總裁，東莞市中鎵半導體科技有限公司創始人，第一任董事長。廣東省青年企業家協會副會長、東莞市政協委員、東莞市工商 聯總商會副會長、東莞市青年企業家協會副 會長、世界莞商聯合會第一屆理事會副會長等。

        陳健民先生是東莞發展高新科技產業的領跑者，2006年留學歸來後，他懷著振興民族工業的抱負，於2008年創辦了東莞市中鎵半導體科技有限公司並引進廣東省首批創新科研團隊，使中鎵公司成為國內首家專業生產氮化鎵襯底材料及半導體設備的生產基地，填補了我國氮化鎵半導體襯底行業的空白。目前公司擁有十多項國內外發明專利，產品技術達到國際領先水平。

        張國義，物理學博士，現任東莞市中鎵半導體科技有限公司董事長，北京大學物理學院教授， 北京大學寬禁帶半導體聯合研究中心主任。中國有色金屬學會寬禁帶半導體專業委員會常務副主任，國家半導體照明研發與產業聯盟副主席，第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事、專家組成員，中國物理學會發光分科學會理事，中國電子學會信息光電子分會理事。