- 公司成立
　　東莞市中鎵半導體科技有限公司成立於2009年1月，總部設於廣東東莞，總註冊資本為1.3億元人民幣，總部設立廠房辦公區等共17000多平方米，並在北京設 立面積達1000平方米的大型研發中心，為中國國內首家專業生產氮化鎵（GaN）襯底材料的企業。

　　- 人才隊伍
　　企業以北京大學寬禁帶半導體研究中心為技術依托，引進國內外優秀的技術及管理團隊， 2010年獲建博士後工作站，截至2019年有院士1人，教授級別人員共 1人，博士9人，碩士27人，擁有先進的技術及管理優勢。

　　- 公司資質和榮譽
　　2009年成立北大中鎵半導體研究中心；同年被廣東省人民政府批準的首批創新科研團隊；成為廣東省現代產業500強項目；被廣東省科學技術廳評為「國際科技合作基地」。
　　2011年被全國高科技質量監督廣東委員會評為「廣東省科技創新質量管理先進單位」；同年被廣東省科學技術廳評為「廣東省民營科技企業」、被廣東省經濟和信息化委員會評為「廣東省戰略性新興產業骨幹企業」。
　　2015年10月，公司被科學技術部認定為「國家國際科技合作基地」。入選《廣東經濟》理事學會理事單位、東莞市電子元件協會常務副會長單位、東莞電子信息產業數碼產業協會常務副會長單位、東莞市半導體行業副會長單位、CSA國家半導體照明工程研發及產業聯盟成員單位等。
　　2017年11月，公司榮獲全國半導體設備和材料標準化技術委員會2017年度「突出貢獻獎」。
　　2018年11月，中鎵半導體科技有限公司的6英寸矽基氮化鎵功率器件外延片被認定為「廣東省高新技術產品」。

　　- 主營業務與專利技術
　　公司創造性采用MOCVD技術、HVPE技術相結合的方法，研發、生產產品包括：氮化鎵（GaN）半導體襯底材料，GaN單晶襯底及氫化物氣相外延設備（HVPE）等，激光器、功率器件、射頻器件。

　　- 公司發展與規劃
　　公司已建成國內首家專業的氮化鎵（GaN）襯底材料生產線，製備出厚度達1100微米的自支撐GaN襯底，並能夠穩定生產。
　　相關產品技術達到國際先進乃至國際領先水平，形成世界一流的國內最大型的襯底材料及半導體設備的生產基地。公司擬以襯底核心技術為基礎，全面進入氮化物半導體技術的研發和生產，實現完整的產業鏈的垂直整合結構發展，打造國際一流的大型半導體材料科研生產基地，逐步推進形成達百億產值的半導體產業集群。

　　- 企業文化
　　公司使命：潤澤社會、興邦惠民
　　公司願景：值得市場尊重的永續企業
　　核心價值觀：正心誠意、激情擔當、開放創新、協同高效、追求卓越、知行合一