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序号
专利号
专利名称
授权公告日
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1
200410009840.0
GaNベースエピタキシャル層の大面積、低出力のレーザー剥離方法
2009-02-18
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2
200610144316.3
一種の窒化ガリウム単結晶基板の制作方法
2009-06-24
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3
200610167605.5
異種基板上に高品質GaN単結晶厚膜を制作する方法
2009-06-24
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4
200810225953.2
固体レーザー発生装置を利用して無損失にGaNとサファイア基板を剥離する方法
2012-01-25
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5
201010617286.X
一種の複数枚大寸法基板のハイドライド気相成長方法と装置
2012-06-13
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6
201010617788.2
GaNエピタキシャルウェハの残留応力を除去するレーザー精確剥離改良方法
2012-06-13
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7
201120349715.X
一種の複数のパイプの液体で冷却及び温度制御のフランジ装置
2012-06-13
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8
201120349762.4
一種の分解不要な生産ラインで清潔可能な新型濾過装置
2012-06-13
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9
201120355244.3
一種の石英パイプと金属が接続する構造
2012-06-13
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10
201010618011.8
一種の焼戻す装置と方法
2018-07-11
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11
201010617807.1
独立な金属元系統が半導体成長設備に金属元ガスを提供する方法
2012-07-18
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12
201220004381.7
一種の自動材料供給装置
2012-10-10
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13
201110142242.0
隙間式複数なガス輸送ノズル構造
2012-11-21
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14
201110276973.4
一種の半導体エピタキシャルシステムに用いる台座
2013-01-09
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15
201220221883.5
一種の気相エピタキシャル成長設備で材料成長を制御する系統
2013-02-09
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16
201220320302.3
一種のウェーハパレット
2013-03-13
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17
201220320305.7
一種のガスを急速に高温に加熱する装置
2013-03-13
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18
201110102031.4
一種の図形化基板
2013-04-10
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20
201010617738.4
気相エピタキシャル材料の成長を多空胴段階式処理の装置
2013-07-24
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20
201010617738.4
一種の塩化アンモニウム廃棄ガスを処理する方法及び設備
2013-07-24
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21
201010617750.5
図形化GaN基板の製造方法
2013-08-28
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22
201110453183.9
一種の単一接点式の自転公転ベースボート
2013-10-30
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23
200910136458.9
固体レーザー剥離と切断一体化設備
2014-03-12
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24
201330477184.7
一種のフォグランプ
2014-06-11
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25
201320727092.4
一種の安全で効率的なウェーハ治具
2014-07-10
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26
201210151216.9
金属有機化合物気相エピタキシャル技術を採用して非対称電子備蓄層高輝度発光ダイオー
2014-08-27
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27
201420457076.2
一種の交換に便利と加熱方法が混合使用可能な加熱装置
2015-01-21
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28
201420262140.1
一種のウェーハの研磨・艶出しに用いるサポート台座
2015-01-28
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29
201210306671.1
一種の欠陥応力除去技術による、窒化ガリウム単結晶材料を自ら分離させ、自立基板を製
2015-02-18
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30
201420562470.2
一種のウェーハ成長に用いる分離式サポート台座
2015-02-18
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31
201210319877.8
一種の高温成長ウェーハの取り外す装置及びその取り外す方法
2015-04-22
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33
201210274906.3
一種のステルス構造基板を製作する方法
2015-05-20
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34
201210309119.8
車両距離安全機能があるレーザーフォグランプ
2015-05-20
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35
201210559376.7
一種のGaN材料成長産業化に適用するサポートボート
2015-07-22
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36
201520162543.3
一種の高温環境で使用する液面制御装置
2015-07-29
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37
201520162977.3
一種の移転過程で同期に図形化するGaN基複合基板
2015-08-19
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38
201520264359.X
一種の陳列化移転するGaN基板複合基板
2015-08-19
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39
201310012395.2
一種の拡散阻止層を含まれているGaN基複合基板
2015-09-16
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40
201520213249.0
一種の材料気相エピタキシャル用方形ノズル構造
2015-09-16
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41
201210559395.X
一種の新型なMOCVDノズル清潔用ブラシ
2015-10-07
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42
201210303314.X
一種の操作しやすいウェーハ治具
2015-11-04
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43
201310318526.X
成長過程で基板ウェーハ表面温度場を改善する方法2
2015-11-25
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44
201210068033.0
一種の液体補助レーザー剥離する方法
2016-01-20
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45
201210068033.0
一種のGaNの成長に用いる複合基板を製作する方法
2016-01-27
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45
201210559456.2
一種ウェーハ専用の三つのクリップの治具
2016-01-27
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46
201210559378.6
半導体及びマイクロ電子業界耐高温滑り止め治具
2016-02-10
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47
201310394554.X
一種の数枚式成長材料の厚み分布の均一性を改善するハイドライド気相堆積装置と方法
2016-02-10
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48
201520798181.7
一種の石英チューブの取り付けに用いる治具
2016-03-02
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49
201410028993.3
一種の窒化物半導体材料気相エピタキシャル成長に用いる反応器設計及び方法
2016-04-27
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50
201520962682.4
一種の大直径石英チューブを取り付ける補助治具
2016-04-27
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51
201521002074.5
一種の石英キャビティを固定する取り付け装置
2016-04-27
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52
201310012409.0
一種の材料気相エピタキシャル成長に用いる扇形ノズル構造
2016-05-11
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53
201310601124.0
一種の前部駆動物流場制御棒
2016-06-01
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54
201210255792.8
一種のハイドライド気相成長に用いる反応器
2016-06-15
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55
201210119613.8
一種の多クリップ治具
2016-06-29
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56
200910136457.4
一種の制御可能な前部駆動物通路
2016-06-29
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57
201410398217.2
一種の金属拡散防止保護層付く複合基板
2016-08-24
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58
201410196612.2
一種のGaN成長用図形化サファイア基板を制作する方法
2016-09-28
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59
200910136457.4
固体レーザー剥離設備と剥離方法
2016-06-29
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60
201410398217.2
一種の安定な転化率に良く反応装置
2016-08-24
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61
201410196612.2
一種の反応物が均一的に分布させるダブル通路ノズル構造
2016-09-28
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62
201620797442.8
一種の塩化水素が窒化ガリウムに変換する効率を向上する装置
2017-01-18
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62
201410004051.1
一種の新型図形化基板及びその製作する方法
2017-02-08
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64
201720349115
一種のハイドライド気相成長グラファイトボート構造
2017-12-29
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65
201510656861.X
一種の連動調節可能な断熱保温装置及び使用方法
2018-01-09
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66
201610017711.9
一種の窒化物単結晶成長する装置と方法
2018-01-23
