2018年03月東莞市市委員会常務委員黄少文一行は東莞市中鎵半導体科学技術有限会社へご臨席見学調査研究

2018年01月東莞市経済と情報化局局長葉葆華、副局長劉錦棠一行は企石鎮党委員会書記袁麗群、企石鎮鎮長熊仕権がお供して、東莞市中鎵半導体科学技術有限会社へご臨席見学調査研究

2017年11月東莞市中鎵半導体科学技術有限会社は「全国半導体設備と材料標準化技術委員会2017年度「突出貢献賞」」を受賞

2017年11月東莞市中鎵半導体科学技術有限会社が主筆して起草した国家標準の『窒化ガリウムレーザー剥離装置』、『窒化物半導体材料を調製する際に用いるハイドライド気相成長装置』は委員の審査を通じされ、合格と批准された

2017年10月東莞市中鎵半導体科学技術有限会社は窒化ガリウム（GaN）単結晶基板で重大な突破を取得

2017年09月東莞市中鎵半導体科学技術有限会社は「2017年広東省半導体材料とコンポーネント工程技術研究中心」と認定された

2017年08月東莞市中鎵半導体科学技術有限会社は東莞市知的財産権保護重点企業リストに追加された

2017年04月東莞市中鎵半導体科学技術有限会社は「中国LED技術革新上位30位企業」の名誉を獲得

2016年9月、東莞市中鎵半導体科学技術有限会社が参加して成立した中国第三代半導体産業南方基地は国家科学技術部元副部長、国家第三代半導体産業決策委員会主任曹健林、広東副省長袁宝成が一緒に立会いして除幕された

2016年7月、中鎵半導体科学技術有限会社『半導体照明用図形化サファイア基板重要技術と産業化』項目で「東莞市科学技術進歩二等賞」を受賞

2016年7月、中鎵半導体科学技術有限会社総経理張国義は「栄誉類市長賞――企業類技術トップランナ」を受賞

2016年3月、市委員会常務委員・市委員会組織部部長白涛一行は鎮委員会書記、鎮人民大会主席陳福及び党委員会・政府、組織事務所等関係人員がお供して東莞市中鎵半導体科学技術有限会社へご臨席見学調査

2016年1月、中鎵半導体科学技術有限会社は広東省ハイテク技術企業協会に「2015年広東革新型企業（試行）」と認定された

2016年1月中鎵半導体科学技術有限会社名誉代表取締役、中国科学院院士甘子釗は「東莞市栄誉市民」の称号を獲得

2015年10月、中鎵半導体科学技術有限会社は科学技術部に国家国際科学技術協力基地と認定された

2015年10月、中鎵半導体科学技術有限会社は広東省知的産業権局に広東省知的産業権模範企業と認定された

2015年4月、中鎵半導体科学技術有限会社HVPE設備研究開発部劉鵬は全国労働模範栄誉称号を獲得、党と国家指導者から親切に接見された

2014年4月24日、25日東莞市中鎵半導体科学技術有限会社は国家標準『レーザー剥離設備』等五つ項目の標準討論会を引き受け

2014年3月23日省委員会書記胡春華は光大グループ傘下の支社中鎵半導体科学技術有限会社へ特別テーマ調査研究を展開

2013年12月4日中鎵半導体科学技術有限会社が主筆起草した国家標準は審査を通過された

2013年7月18日　張科副市長は市「三重」プロジェクト建設視察チームを率いて中鎵半導体科学技術有限会社へ視察

2013年4月は経済日報に『最も成長力がある革新企業』と評価された

2013年1月中鎵半導体科学技術有限会社図形化サファイア基板、窒化ガリウム/サファイア複合基板は広東科学庁に広東省重点新製品と認定された

2013年1月東莞市科学技術協会に「2012年度東莞市科学技術協会系統先端企業科学技術協会」と評価された

2012年下半期、中鎵半導体科学技術有限会社は広東省科学技術庁が組織した広東省光モジュール準備作業を参加

2012年11月1日、東莞国際科学技術協力週で、中鎵半導体科学技術有限会社、北京大学東莞光電研究院はドイツフェルディナンド-ブラウン研究所と協力協議を締結、三方は半導体レーザー発生装置分野をめぐって協力を展開

2012年10月17日、科学技術部党組織メンバー・中央紀律検査委員会科学技術部に駐在する紀律検査チームチーム長郭向遠がリードした国家検査チーム、及び省・市と鎮町の検査対応チーム人員一行は中鎵へご臨席、中鎵半導体科学技術有限会社が引き受けた国家科学技術計画項目の実施状況を検査と指導

2012年9月23日、広東省科学技術庁組織専門家の論証を経て、中鎵半導体科学技術有限会社が広東省半導体照明基板材料工程技術開発センターを成立することに関しての方案は成功に通過された

2012年9月23日、中鎵半導体科学技術有限会社が引き受けた『国際窒化物半導体基板とウェハーチップ発展戦略検討会』が順調に開催された

2012年9月11日、東莞市経済と情報化局副局長梁経昌は中鎵半導体科学技術有限会社へご臨席見学

2012年8月中鎵半導体科学技術有限会社は広東省LED照明産業『LED基板測定技術規範』地方標準項目の編成作業を引き受け

2012年8月21日、中鎵半導体科学技術有限会社が引き受けた『窒化ガリウム基板及びエピタキシャルウェーハ』国家標準の検討会が順調に開催された

2012年8月7日、東莞市社会保障局局長梁氷は中鎵半導体科学技術有限会社へご臨席見学指導

2012年7月25日、科学技術部国際協力司カウンセラー毛中頴一行は中鎵半導体科学技術有限会社へご臨席見学調査研究

2011年10月、広東省科学技術庁の批准で広東省院士ワークステーションを設立

2011年05月、第二期pss基板生産ラインの拡張作業を完成、企業生産は規模化へ発展

2010年12月、第一台のレーザー剥離設備が成功にアメリカへ輸出され、優秀と高く評価された

2010年12月、中鎵半導体科学技術有限会社北京研究開発センター（北京燕園中鎵半導体工程研究中心）が北京大学昌平キャンパスで成立した

2010年11月、広東省科学技術庁に広東省国際科学技術研究協力基地と認定された

2010年10月、国家人力資源部の批准を得て国家級ポスト・ドクトラル・ステーションを成立

2010年08月、北京大学半導体ワイドギャップ研究センターと連合して中鎵半導体科学技術有限会社育成学校を成立し、全力的に内部社員の育成を展開

2010年06月、元広東省省長黄華華は中鎵半導体科学技術有限会社へ調査研究、革新科学技術研究チームの作業報告を聞き、高く肯定

010年0６月、甘子釗院士がリードしていた北京大学半導体ワイドギャップ研究センターの広東省最初の革新科学研究チームを導入

2010年05月、第一本のGaN窒化ガリウム基板生産ライン完成、国内窒化ガリウム基板の産業化作業を始める

2009年12月、第一本pss図形化サファイア基板生産ライン完成、正式に生産を始め

2009年5月、中鎵半導体科学技術有限会社の初の製品――微区レーザー剥離設備が製造され、国際で始めての純固定微区レーザー剥離設備が誕生したことです

2009年4月、中鎵半導体科学技術有限会社は東莞市民営科学技術企業と評価された。同月、中鎵半導体科学技術有限会社は北京大学に四つの国家発明特許を譲渡、正式に重要技術分野で自身自主の知的財産権を有するようになった

2009年3月、中鎵半導体科学技術有限会社は北京市で面積1000数平方メートルの北京研究開発中心を設立

2009年3月、東莞市福市長冷暁明、企石鎮鎮委員会書記麦広欽は中鎵半導体科学技術有限会社の工場へご臨席、建設進捗を考察、本プロジェクトに非常に重視することを示した。同月、国内で最も先端技術を持つ北京大学半導体ワイドギャップ研究センターと技術協力協議を締結、共に手を繋いて世界へ出発

2009年1月12日、中鎵半導体科学技術有限会社は正式に登録成立、中国半導体業界発展の重点都市――東莞で根を下ろす

2008年11月、広東光大企業グループ、北京大学は広東省東莞市で正式に協力協議を締結。同年、中鎵半導体科学技術有限会社の準備チームは現地政府と『企業誘致扶助協議』を締結、政府は土地等一列な支援措置を提供し、工場団地面積は17000平方メートル以上

2008年中、投資側の広東光大企業グループ、北京大学は本プロジェクトの打ち合わせを始め、中国国内初の半導体窒化ガリウム基板材料産業化の項目である