ニュース情報_東莞市中镓半導体科学技術有限会社

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中镓半導体は招きに応じてIWN 2018に参加

　　現地時間の11月11日～16日に、日本金沢にてThe International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018)を開催し、東莞市中镓半導体科技有限会社（以下、「中镓半導体」と略..

中鎵&中晶幹部候補特訓キャンプ：強力援護，成長加速！

アテンション！…… 情熱と才能を兼備している可愛い若者達が、幹部候補特訓キャンプに着くため、全力で７月下旬に、東莞市中鎵半導体科学技術有限会社と東莞市中晶半導体科学技術有限会社（以下「中鎵半導体」と「中晶半導体」といいます）に着きました..

中鎵半導体、SEMICON Westで登場

　　現地時間7月10日-12日、SEMICON West 2018（2018アメリカ西部半導体展覧会）がサンフランシスコのモルコーネで開催されました。東莞市中鎵半導体科学有限会社（以下略：中鎵半導体）が展覧会に参加致しました。　　最も影響力があるこの..

4インチ窒化物ガリウム自立基板量産技術！中鎵半導体が国内で初

　　2018年2月初頃、東莞市中鎵半導体科学技術有限会社は（以下は中鎵半導体と略称する）窒化ガリウム（GaN）基板量産技術が重大な突破を実現した！国内で始めての4インチGaN自立基板（Free-standing GaN Substrate、図1）の試..

中鎵半導体製品はProductronica Chinaで披露

　　2018年3月14から16日まで、ミュンヘン上海電子生産設備展覧会（Productronica China）は上海新国際博覧会中心で開催され、東莞市中鎵半導体科学技術有限会社（以下は中鎵半導体と略称する）は窒化ガリウム（GaN）基板製品をもって出..

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