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2012年6月中鎵半導体科学技術有限会社PCT国際発明特許「固体レーザー発生装置を利用し損壊なくGaNとサファイア基板を剥離する方法」は韓国知的財産権局の授権を獲得

記事のソース:  クリック数:1  更新時間:2012-06-10 15:53:34  【印刷】  【クローズド

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