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  • - 公司成立

    東莞市中鎵半導體科技有限公司成立於2009年1月,總部設於廣東東莞,總註冊資本為1.3億元人民幣,總部設立廠房辦公區等共17000多平方米,並在北京設 立面積達1000平方米的大型研發中心,為中國國內首家專業生產氮化鎵(GaN)襯底材料的企業。

  • - 人才隊伍

    企業以北京大學寬禁帶半導體研究中心為技術依托,引進國內外優秀的技術及管理團隊, 2010年獲建博士後工作站,截至2016年有院士1人,教授級別人員共 6人,博士13人,碩士22人,擁有先進的技術及管理優勢。

  • - 公司資質和榮譽

    2009年成立北大中鎵半導體研究中心;同年被廣東省人民政府批准的首批創新科研團隊;成為廣東省現代產業500強項目;被廣東省科學技術廳評為“國際科技 合作基地”。

    2011年被全國高科技質量監督廣東委員會評為“廣東省科技創新 質量管理先進單位”;同年被廣東省科學技術廳評為“廣東省民營科技企業”、被廣東省經濟 和信息化委員會評為“廣東省戰略性新興產業骨幹企業”。

    同時2015年10月,公司被科學技術部認定為“國家國際科技合作基地”。入選《廣東經濟》理事學會理事單位、東莞市電子元件協會常務副會長單位、東莞電子 信息產業 數碼產業協會常務副會長單位、東莞市半導體行業副會長單位、CSA國家半導體照明工程研發及產業聯盟成員單位等。

  • - 主營業務與專利技術

    本企業創造性地採用MOCVD技術、激光剝離技術、HVPE技術相結合的方法,研發、生產產品包括:(1)GaN半導體襯底材料,包括GaN襯底,GaN/Al₂O₃ 複合襯底,圖形化藍寶石襯底(PSS);(2)生產上述產品的設備,如激光剝離設備、HVPE設備等。對相應技術擁有自主知識產權,截止2018年3月,公司共擁有國 家專利128項,其中授權發明專利44項、授權實用新型專利21項、授權外觀設計專利1項,受理髮明專利60項、受理實用新型2項;申請PCT國際發明專利5項,其中5項 已獲得美國、日本、韓國等國家和地區的授權,相關專利技術處於國際先進水平。使本企業在國內國際競爭中處於一個優勢位置。

  • - 公司發展與規劃

    目前,公司已建成國內首家專業的氮化鎵(GaN)襯底材料生產線,製備出厚度達1100微米的自支撐GaN襯底,並能夠穩定生產。

    相關產品技術達到國際先進乃至國際領先水平,形成世界一流的國內最大型的襯底材料及半導體設備的生產基地。企業擬以襯底核心技術為基礎,全面進入氮化物 半導體技術的研發和生產,實現完整的產業鏈的垂直整合結構發展,打造國際一流的大型半導體材料科研生產基地,逐步推進形成達百億產值的半導體產業集群。

  • - 公司願景

    本公司專注於生產高品質的半導體襯底材料、相關先進設備的高精密製造,竭誠為國內外廣大用戶提供最優質的服務,立足中國,放眼全球,竭力為中國乃至世界 半導體行業帶來一個新的發展契機。

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