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  • - 会社成立

    東莞市中鎵半導体科学技術有限会社は2009年1月に成立され、広東東莞市で本部を設立し、総登録資本金は1.3億元人民元です。本部で設立した工場、オフィス区域等は合計17000数平方メートル、また、北京で1000平方メートルの大型研究開発センターを設立した。中国国内で初の窒化ガリウム(GaN)基板材料の生産に専念する企業です。

  • - 人材チーム

    企業は北京大学半導体ワイドギャップセンターが技術依託として、国内外優秀な技術及び管理チームを導入し、2010年に許可を得てポストドクターのワークステーションを建設し、2016年まではアカデミシャン1人、教授レベル6人、博士13人、修士22人がいて、先端的な技術及び管理優位性がある。

  • - 会社資質と栄誉

    2009年に中鎵半導体研究センターを成立した。同年、広東省人民政府に第一陣の革新科学研究チームを批准され、広東省現代産業上位500位のプロジェクトになり、広東省科学技術庁に「国際科学技術 協力基地」と評価された。

    2011年に全国ハイテク品質監督の広東委員会に「広東省科学技術革新 質量管理先進単位」と評価され、同年、広東省科学技術庁に「広東省民営科学技術企業」と評価され、広東省経済と情報化委員会に「広東省戦略性新興産業中堅企業」と評価された。

    2015年10月に、会社は科学技術部に「国家国際科学技術協力基地」と認定された。『広東経済』理事学会理事単位、東莞市電子コンポーネント協会常務副会長単位、東莞市電子情報産業デジタル産業協会常務副会長単位、東莞市半導体業界副会長単位、CSA国家半導体照明工程研究開発及び産業連盟メンバー単位等に入選された。

  • - 主な経営業務と特許技術

    本企業は創造的にMOCVD技術、レーザー剥離技術、HVPE技術が結合する方法を採用し、下記の製品を研究開発、生産した。(1)GaN半導体基板材料、主にGaN基板、GaN/Al₂O₃複合基板、図形化サファイア基板(PSS)を含む。(2)上記製品の設備を生産する。例えばレーザー剥離設備、HVPE設備等。対応の技術が自主知的財産権を有していて、2018年3月までは、会社が所有している国家特許が128項目があり、その中に授権発明特許は44項目、授権実用新型特許は21項目、授権外観設計特許は1項目、受理した発明特許は60項目、受理した実用新型2項目。申請したPCT国際発明特許が5項目、その中5項目は既にアメリカ、日本、韓国等の国家と地区の授権を得ていてる。関連特許技術は国際先端レベルにあり、本企業を国内国際競争において優位性的な位置にさせる。

  • - 会社発展と計画

    現在、会社は国内初めての専門的な窒化ガリウム(GaN)基板材料生産ラインを建設した、厚みが1100マイクロメーターに達する自立GaN基板を作られるようになり、そして、安定に生産できる。

    関連製品技術は国際先端ひいては国際でリード的な水準に達し、世界一流な国内最大級の基板材料及び半導体設備生産基地に形成した。企業は基板核心技術を基にして、全面的に窒化物半導体技術の研究開発と生産分野に進出し、完全な産業チェーンの垂直整合構造の発展を実現し、国際一流な大型の半導体材料科学研究基地を作り、生産値が百億に達する半導体産業クラスターの形成を徐々に推進する。

  • - 会社願望

    本会社は品質の高い半導体基板材料の生産、関連先端設備の精密度の高い製造に専念し、中国国内外幅広いユーザーに最も優れたサービスを提供することに全力を尽くする。中国に立脚し、世界を見渡し、全力的に中国ひいては世界の半導体業界に新しい発展契機を持ってくる。

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