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  • - 公司成立

    东莞市中镓半导体科技有限公司成立于2009年1月,总部设于广东东莞,总注册资本为1.3亿元人民币,总部设立厂房办公区等共17000多平方米,并在北京设 立面积达1000平方米的大型研发中心,为中国国内首家专业生产氮化镓(GaN)衬底材料的企业。

  • - 人才队伍

    企业以北京大学宽禁带半导体研究中心为技术依托,引进国内外优秀的技术及管理团队, 2010年获建博士后工作站,截至2016年有院士1人,教授级别人员共 6人,博士13人,硕士22人,拥有先进的技术及管理优势。

  • - 公司资质和荣誉

    2009年成立北大中镓半导体研究中心;同年被广东省人民政府批准的首批创新科研团队;成为广东省现代产业500强项目;被广东省科学技术厅评为“国际科技 合作基地”。

    2011年被全国高科技质量监督广东委员会评为“广东省科技创新 质量管理先进单位”;同年被广东省科学技术厅评为“广东省民营科技企业”、被广东省经济 和信息化委员会评为“广东省战略性新兴产业骨干企业”。

    同时2015年10月,公司被科学技术部认定为“国家国际科技合作基地”。入选《广东经济》理事学会理事单位、东莞市电子元件协会常务副会长单位、东莞电子 信息产业 数码产业协会常务副会长单位、东莞市半导体行业副会长单位、CSA国家半导体照明工程研发及产业联盟成员单位等。

  • - 主营业务与专利技术

    本企业创造性地采用MOCVD技术、激光剥离技术、HVPE技术相结合的方法,研发、生产产品包括:(1)GaN半导体衬底材料,包括GaN衬底,GaN/Al₂O₃ 复合衬底,图形化蓝宝石衬底(PSS);(2)生产上述产品的设备,如激光剥离设备、HVPE设备等。对相应技术拥有自主知识产权,截止2018年3月,公司共拥有国 家专利128项,其中授权发明专利44项、授权实用新型专利21项、授权外观设计专利1项,受理发明专利60项、受理实用新型2项;申请PCT国际发明专利5项,其中5项 已获得美国、日本、韩国等国家和地区的授权,相关专利技术处于国际先进水平。使本企业在国内国际竞争中处于一个优势位置。

  • - 公司发展与规划

    目前,公司已建成国内首家专业的氮化镓(GaN)衬底材料生产线,制备出厚度达1100微米的自支撑GaN衬底,并能够稳定生产。

    相关产品技术达到国际先进乃至国际领先水平,形成世界一流的国内最大型的衬底材料及半导体设备的生产基地。企业拟以衬底核心技术为基础,全面进入氮化物 半导体技术的研发和生产,实现完整的产业链的垂直整合结构发展,打造国际一流的大型半导体材料科研生产基地,逐步推进形成达百亿产值的半导体产业集群。

  • - 公司愿景

    本公司专注于生产高品质的半导体衬底材料、相关先进设备的高精密制造,竭诚为国内外广大用户提供最优质的服务,立足中国,放眼全球,竭力为中国乃至世界 半导体行业带来一个新的发展契机。

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